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報道資料
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1997年11月26日

独自のCMP(Chemical Mechanical Polish)技術により
半導体素子の完全平坦化プロセスを実現する精密平坦化装置 商品化

精密平坦化装置『HV-9000』

ソニーは、工具に硬質の半固定砥粒ホイールを採用した独自のCMP(Chemical Mechanical Polish)技術により、半導体製造における素子分離プロセス及び層間膜研磨プロセスなどで、残存段差部分を均一に除去する、精密平坦化装置『HV-9000』を商品化、本年12月より受注を開始します。

型名 受注開始 価格(税別)
精密平坦化装置『HV-9000』 97年12月 1億6000万円

近年、半導体製造プロセスの微細化に伴い、0.25μm世代以降の半導体素子の平坦化は、必須のプロセスになっています。
このような環境下、当社は 半導体・磁気ヘッド・光ディスク等の開発・生産で培ってきた精密加工技術をベースに、装置構造、工具、メカニズムの検討を重ね、0.25μm世代以降の半導体素子の均一な平坦化を実現する半固定砥粒ホイールを開発し、『HV-9000』を商品化しました。
本装置は、半固定砥粒の採用により、従来に比べホイールを硬質化し、シリコン基板上、層間膜上のウエハー面を微細かつ均一に平坦化することができます。また、従来は作業者のスキルに依存していた均一性の精度調整をソフトウェア制御のプログラム補正により、精密かつ容易に行うことが可能となりました。
さらに本装置は、小型工具で部分的に加工する構造にした上、ウエハーを固定し研磨する方式を採用することにより、8インチウエハー(標準対応)の他、チャックを交換するだけで次世代の300mm(12インチ)ウエハーに対応します。
なお、本装置は、12月3日〜5日に幕張メッセで開催されるセミコン・ジャパン97に出展する予定です。

『HV-9000』の主な特長

  1. SiO2系層間膜に対応
  2. セミリジッドポリシングによる優れた平坦化性能
  3. ソフトウエア制御による均一性のプログラム補正
  4. 工具交換、メンテナンス作業のスキルレス化
  5. 設置面積2m2の省スペース設計(300mm対応)
  6. ウエハーチャックテーブル交換で6インチから300mmまで対応(オプション)

『HV-9000』の構成

ウエハーカセット投入室、研磨加工室、洗浄・カセット排出室と各々隔離してあります。

『HV-9000』の主な仕様

対象ウエハー 標準8インチ(6インチ、300mmはオプション)
膜種 SiO2系層間絶縁膜等
ウエハーチャック セラミック製真空ダイレクトチャック
カセット 25枚(26枚)入り 2カセットイン 2カセットアウト
ハンドリング ロボットハンドによるフェースアップ搬送
洗浄部 ロールブラシスクラブ洗浄後ウエットアウト(ドライアウト 洗浄機とのインテグレーションはオプション)
処理方法 枚葉式(1ウエハー1工具で1枚づつ処理)
外形寸法 幅1,000mm×奥行2,000mm×高さ2,000mm
質量 2,500kg
  • お客様からのお問い合わせ先 :
    ソニー(株)生産システムビジネスセンター
    TEL:03-5448-4278
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