IBMコーポレーション（以下、IBM）、ソニー株式会社（以下、ソニー）、株式会社東芝（以下、東芝）は、共同開発契約を締結し、新たな5年間にわたる最先端半導体技術の研究開発連携をスタートしました。32ナノメートル以降の先端プロセス技術に関する基礎研究を、3社による広範な半導体研究開発連携の一部として進めていきます。今回の契約により3社は、コンシューマ市場や他のアプリケーションに求められる新技術を早期に探求し、明確化し、商品化に結び付けていきます。

　IBM、ソニーおよび株式会社ソニー・コンピュータエンタテインメント、東芝は、過去5年の間に、Cellマイクロプロセッサの設計、およびその開発を目的とした90、65ナノメートルプロセスを用いたSOI^*技術を中心に共同で開発を進めてきました。

• 室町正志（株式会社東芝　執行役上席常務　セミコンダクター社　社長）
  「最先端のプロセス技術と製造力を持つ東芝、様々な半導体技術とコンシューマ市場における豊富な経験を有するソニー、最先端の材料技術を有するIBMの3社が一堂に会して共同開発することにより、32ナノメートル以降の最先端プロセス技術開発においても大きな成果をあげることができると確信しています。東芝は、共同開発の成果を活用することで、来るべきユビキタス社会におけるキーデバイスの開発を加速し、最先端プロセス技術におけるリーダーとしての地位を更に強化していきます。」
• 眞鍋研司（ソニー株式会社 EVP、半導体事業グループ本部長）
  「今回のIBM、東芝との基盤技術における共同研究に大きな期待を寄せています。本共同開発プロジェクトは、デバイス構造、革新的な材料、特徴あるプロセス装置など多様な技術研究を行うものであり、次世代半導体の実現に向けた技術開発を一層加速させることでしょう。」
• リサ・スー（IBMコーポレーション　IBM半導体研究開発センター担当バイス・プレジデント）
  「このリレーションシップを次世代プロセス技術にまで広げ、研究レベルでの提携関係を深めることにより、大きな技術的進展を成すための開発ペースを加速していきます。」

　本共同研究開発は、米国ニューヨーク州ヨークタウンにあるIBMワトソン研究所、アルバニー・ナノテクの半導体リサーチ・センターおよび、イーストフィッシュキルにあるIBMの300ミリメートル半導体製造施設にて行う予定です。

• *SOI（シリコン・オン・インシュレータ）：　絶縁膜上に形成した単結晶シリコンを基板とした半導体および半導体技術